@techreport{oai:u-ryukyu.repo.nii.ac.jp:02004788,
 author = {比嘉, 晃 and Higa, Akira},
 month = {Jun},
 note = {科研費番号: 19560319, 2007年度～2008年度科学研究費補助金（基盤研究(C)）研究成果報告書, 研究概要：アモルファス炭素薄膜（以下，a-C:H 薄膜と呼ぶ）の電子デバイス応用を実現するためには，a-C:H 薄膜の伝導度制御が必要不可欠である．本研究では，この伝導度制御を行うために化学ドーピング法によるヨウ素ドーピングを行った．本手法によるドーピング効果は，a-C:H 薄膜の膜構造に強く依存すること，また，ドーピングすることによって，薄膜の光学ギャップエネルギーや電気抵抗率が制御可能であることが明らかになり，電子デバイス応用のためのドーピング技術確立に対する重要な知見が得られた．, 研究報告書},
 title = {電子デバイス応用のためのアモルファス炭素薄膜のドーピング技術の開発},
 year = {2009}
}