@techreport{oai:u-ryukyu.repo.nii.ac.jp:02005239,
 author = {山里, 将朗 and Yamazato, Masaaki},
 month = {Jun},
 note = {科研費番号: 19760050, 2007年度～2008年度科学研究費補助金（若手研究(B)）研究成果報告書, 研究概要：本研究では，CdTe半導体の結晶表面制御技術と電極形成技術の研究開発を行った．従来，Inがショットキー電極として用いられてきたが，Alがショットキー電極として用いて素子を作製した．その結果，^<241>Amからの放射線計測において，半値幅が1.5keV程度と高分解能素子の作製に成功し，Inと同等以上の特性が得られることを示した．また，Heプラズマによる表面処理及び硫黄処理を行うことにより，ポラリゼーション現象が大きく改善され，従来3時間程度の連続計測しか行えなかったものが，20時間の連続計測が可能になることを示した．また，Alを電極として用いることにより，In電極の時には難しかった電極分割が可能となり，素子のピクセル化が容易になることを明らかにした．さらに，Tiもショットキー電極として有効であることを示した．本研究で得られたこれらの表面処理及び電極作製技術の成果は，CdTe放射線検出素子の作製プロセスにおいて，基盤的な技術になるものと考えている．, 研究報告書},
 title = {結晶表面制御による高安定高分解能テルル化カドミウム半導体放射線検出素子の開発},
 year = {2009}
}