Item type |
デフォルトアイテムタイプ(フル)(1) |
公開日 |
2020-11-27 |
タイトル |
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タイトル |
Electrical Characteristics of Lightly-Doped Si Films Crystallized by Thermal Plasma Jet Irradiation |
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言語 |
en |
作成者 |
Yorimoto, T.
Higashi, S.
Kaku, H.
Okada, T.
Murakami, H.
Miyazaki, S.
Maki, M.
Sameshima, T.
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アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
権利情報 |
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言語 |
ja |
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権利情報 |
©2020 MRS-J. All Rights Reserved. |
内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
50-nm-thick amorphous Si films doped with 4.3 x 10^17 cm-3 phosphorus atoms were crystallized by thermal plasma jet (TPJ) irradiation. The electrical conductivity (sigma) of the crystallized films ranges from 1.2 x 10^-5 - 1.7 x 10^-2 S/cm, while Si films crystallized by excimer laser annealing (ELA) show much smaller sigma of 1.6 - 4.5 x 10^-6 S/cm regardless of laser fluence. This result can be interpreted that the defect density in the TPJ crystallized films is much smaller than that in ELA Si films. By treating the films with hydrogen plasma for 60 s at 250oC, sigma of TPJ crystallized films increased to 1.4 x 10^-2 - 1.1 S/cm, while it was 3.0 x 10^-6 - 6.5 x 10^-3 S/cm in the case of films crystallized by ELA. This result indicates that a short period hydrogenation is effective to improve the electrical characteristics of TPJ crystallized Si films. |
内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
論文 |
出版者 |
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言語 |
en |
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出版者 |
The Materials Research Society of Japan |
出版者 |
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言語 |
ja |
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出版者 |
一般社団法人 日本MRS |
言語 |
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言語 |
eng |
資源タイプ |
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資源タイプ |
journal article |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
出版タイプ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
識別子 |
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識別子 |
http://hdl.handle.net/20.500.12000/47347 |
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識別子タイプ |
HDL |
関連情報 |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.14723/tmrsj.32.465 |
関連情報 |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.14723/tmrsj.32.465 |
収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
2188-1650 |
収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1382-3469 |
収録物名 |
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言語 |
en |
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収録物名 |
Transactions of the Materials Research Society of Japan |
書誌情報 |
巻 32,
号 2,
p. 465-468,
発行日 2007
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