WEKO3
アイテム
電子デバイス応用のためのアモルファス炭素薄膜のドーピング技術の開発
http://hdl.handle.net/20.500.12000/11751
http://hdl.handle.net/20.500.12000/117515d6fdeb5-aaae-4efb-8f1a-887cceebd951
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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![]() |
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Item type | デフォルトアイテムタイプ(フル)(1) | |||||||||
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公開日 | 2009-08-11 | |||||||||
タイトル | ||||||||||
タイトル | 電子デバイス応用のためのアモルファス炭素薄膜のドーピング技術の開発 | |||||||||
言語 | ja | |||||||||
タイトル | ||||||||||
タイトル | Establishment of doping technique of amorphous carbon thin films for application to electronic devices | |||||||||
言語 | en | |||||||||
作成者 |
比嘉, 晃
× 比嘉, 晃
× Higa, Akira
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アクセス権 | ||||||||||
アクセス権 | open access | |||||||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
主題 | ||||||||||
言語 | ja | |||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||
主題 | アモルファス炭素薄膜 | |||||||||
主題 | ||||||||||
言語 | ja | |||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||
主題 | 化学ドーピング | |||||||||
主題 | ||||||||||
言語 | ja | |||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||
主題 | ヨウ素ドーピング | |||||||||
内容記述 | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | 科研費番号: 19560319 | |||||||||
内容記述 | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | 2007年度~2008年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書 | |||||||||
内容記述 | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | 研究概要:アモルファス炭素薄膜(以下,a-C:H 薄膜と呼ぶ)の電子デバイス応用を実現するためには,a-C:H 薄膜の伝導度制御が必要不可欠である.本研究では,この伝導度制御を行うために化学ドーピング法によるヨウ素ドーピングを行った.本手法によるドーピング効果は,a-C:H 薄膜の膜構造に強く依存すること,また,ドーピングすることによって,薄膜の光学ギャップエネルギーや電気抵抗率が制御可能であることが明らかになり,電子デバイス応用のためのドーピング技術確立に対する重要な知見が得られた. | |||||||||
内容記述 | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | 研究報告書 | |||||||||
出版者 | ||||||||||
言語 | ja | |||||||||
出版者 | 比嘉晃 | |||||||||
言語 | ||||||||||
言語 | jpn | |||||||||
資源タイプ | ||||||||||
資源タイプ | research report | |||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||||
出版タイプ | ||||||||||
出版タイプ | AM | |||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||
識別子 | ||||||||||
識別子 | http://hdl.handle.net/20.500.12000/11751 | |||||||||
識別子タイプ | HDL | |||||||||
書誌情報 |
発行日 2009-06-05 |