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  1. その他
  1. 部局別インデックス
  2. 工学部

電子デバイス応用のためのアモルファス炭素薄膜のドーピング技術の開発

http://hdl.handle.net/20.500.12000/11751
http://hdl.handle.net/20.500.12000/11751
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名前 / ファイル ライセンス アクション
19560319seika.pdf 19560319seika.pdf
Item type デフォルトアイテムタイプ(フル)(1)
公開日 2009-08-11
タイトル
タイトル 電子デバイス応用のためのアモルファス炭素薄膜のドーピング技術の開発
言語 ja
作成者 比嘉, 晃

× 比嘉, 晃

ja 比嘉, 晃

Higa, Akira

× Higa, Akira

en Higa, Akira

アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
主題
言語 ja
主題Scheme Other
主題 アモルファス炭素薄膜
言語 ja
主題Scheme Other
主題 化学ドーピング
言語 ja
主題Scheme Other
主題 ヨウ素ドーピング
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 科研費番号: 19560319
内容記述タイプ Other
内容記述 2007年度~2008年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書
内容記述タイプ Other
内容記述 研究概要:アモルファス炭素薄膜(以下,a-C:H 薄膜と呼ぶ)の電子デバイス応用を実現するためには,a-C:H 薄膜の伝導度制御が必要不可欠である.本研究では,この伝導度制御を行うために化学ドーピング法によるヨウ素ドーピングを行った.本手法によるドーピング効果は,a-C:H 薄膜の膜構造に強く依存すること,また,ドーピングすることによって,薄膜の光学ギャップエネルギーや電気抵抗率が制御可能であることが明らかになり,電子デバイス応用のためのドーピング技術確立に対する重要な知見が得られた.
内容記述タイプ Other
内容記述 研究報告書
出版者
言語 ja
出版者 比嘉晃
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ research report
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
識別子
識別子 http://hdl.handle.net/20.500.12000/11751
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2022-01-27 08:15:44.855256
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