| Item type |
デフォルトアイテムタイプ（フル）(1) |
| 公開日 |
2009-09-07 |
| タイトル |
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タイトル |
X線二結晶法によるストライプ状SiO_2/GaAs基板の格子歪の測定 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Measurement of Lattice Strain of Striped Si0_2/GaAs Substrate by X-ray Double Crystal Method |
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言語 |
en |
| 作成者 |
前濱, 剛廣
新里, 樹
安冨祖, 忠信
Maehama, Takehiro
Shinzato, Itsuki
Afuso, Chusin
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| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
X-ray double crystal method |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Gallium arsenide |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Silicon dioxide film |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Lattice strain |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
A measurement method for relative lattice strain of striped Si0_2/GaAs and the results of the measurements are presented. As the fundamental of the method the peak - splitting angle of the rocking curve of X - ray double crystal method due to the relative lattice strain is used. The method is applied to some samples with different stripe widths. The results of the measurements reveal the following facts. The relative lattice strain varies inversely as the stripe width. The equation of the relationship is given by assuming the exponential distribution of the lattice strain. The relative lattice strain is divided into two terms by elastic theory. One is the spacing strain of the parallel atomic planes and the other is the tilting strain of the planes. |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
紀要論文 |
| 出版者 |
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出版者 |
琉球大学工学部 |
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言語 |
ja |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 識別子 |
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識別子 |
http://hdl.handle.net/20.500.12000/12408 |
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識別子タイプ |
HDL |
| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0389-102X |
| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN0025048X |
| 収録物名 |
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収録物名 |
琉球大学工学部紀要 |
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言語 |
ja |
| 書誌情報 |
号 47,
p. 77-87,
発行日 1994-03
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No47p77.pdf
