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  1. 紀要論文
  2. 琉球大学工学部紀要
  3. 31号
  1. 部局別インデックス
  2. 工学部

Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と二次元欠陥 -X線トポグラフィーによる観測-

http://hdl.handle.net/20.500.12000/12488
http://hdl.handle.net/20.500.12000/12488
9c3bf808-447f-4fc7-abc7-8eec2473c211
名前 / ファイル ライセンス アクション
No31p051.pdf No31p051.pdf
Item type デフォルトアイテムタイプ(フル)(1)
公開日 2009-09-15
タイトル
タイトル Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と二次元欠陥 -X線トポグラフィーによる観測-
言語 ja
タイトル
タイトル Observation of Dislocation Climbing with Two-dimensional Defects in Si-doped GaAs Crystal by X-ray Topography
言語 en
作成者 前濱, 剛廣

× 前濱, 剛廣

ja 前濱, 剛廣

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安冨祖, 忠信

× 安冨祖, 忠信

ja 安冨祖, 忠信

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Maehama, Takehiro

× Maehama, Takehiro

en Maehama, Takehiro

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Afuso, Chushin

× Afuso, Chushin

en Afuso, Chushin

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
主題
言語 en
主題Scheme Other
主題 Gallium arsenide
主題
言語 en
主題Scheme Other
主題 Dislocation
主題
言語 en
主題Scheme Other
主題 X-ray diffraction topography
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 A formation mechanism of two-dimensional defects which are produced in a Si-doped GaAs crystal during heat-treatment has been studied by X-ray diffraction topography. The Si-doped GaAs crystal was heat-treated for 72 hours at 1000℃ under 600 Torr arsenic pressure. X-ray diffraction topographs of the crystal were taken before and after heat-treatment. Then the surface of the crystal was etched by RC-1 etchant for revealing figures of defects. From these topographs we find that dislocations in the crystal climb to absorb some kind of point defects during heat-treatment. From etch figures we also find that two-dimensional defects which are never observed in the X-ray diffraction topograph are formed over tracts of dislocations climbing.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 紀要論文
出版者
出版者 琉球大学工学部
言語 ja
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
識別子
識別子 http://hdl.handle.net/20.500.12000/12488
識別子タイプ HDL
収録物識別子
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0389-102X
収録物識別子
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN0025048X
収録物名
収録物名 琉球大学工学部紀要
言語 ja
書誌情報
号 31, p. 51-60, 発行日 1986-03
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Ver.1 2022-01-27 08:18:49.245160
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