| Item type |
デフォルトアイテムタイプ（フル）(1) |
| 公開日 |
2009-09-15 |
| タイトル |
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タイトル |
Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と二次元欠陥 －X線トポグラフィーによる観測－ |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Observation of Dislocation Climbing with Two-dimensional Defects in Si-doped GaAs Crystal by X-ray Topography |
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言語 |
en |
| 作成者 |
前濱, 剛廣
安冨祖, 忠信
Maehama, Takehiro
Afuso, Chushin
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| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Gallium arsenide |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Dislocation |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
X-ray diffraction topography |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
A formation mechanism of two-dimensional defects which are produced in a Si-doped GaAs crystal during heat-treatment has been studied by X-ray diffraction topography. The Si-doped GaAs crystal was heat-treated for 72 hours at 1000℃ under 600 Torr arsenic pressure. X-ray diffraction topographs of the crystal were taken before and after heat-treatment. Then the surface of the crystal was etched by RC-1 etchant for revealing figures of defects. From these topographs we find that dislocations in the crystal climb to absorb some kind of point defects during heat-treatment. From etch figures we also find that two-dimensional defects which are never observed in the X-ray diffraction topograph are formed over tracts of dislocations climbing. |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
紀要論文 |
| 出版者 |
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出版者 |
琉球大学工学部 |
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言語 |
ja |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 識別子 |
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識別子 |
http://hdl.handle.net/20.500.12000/12488 |
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識別子タイプ |
HDL |
| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0389-102X |
| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN0025048X |
| 収録物名 |
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収録物名 |
琉球大学工学部紀要 |
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言語 |
ja |
| 書誌情報 |
号 31,
p. 51-60,
発行日 1986-03
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No31p051.pdf
