| Item type |
デフォルトアイテムタイプ（フル）(1) |
| 公開日 |
2020-11-27 |
| タイトル |
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タイトル |
High mobility sputtered InSb film by blue laser diode annealing |
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言語 |
en |
| 作成者 |
Koswaththage, C.J.
Higashizako, T.
Okada, T.
Sadoh, T.
Furuta, M.
Bae, B.S.
Noguchi, T.
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| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 権利情報 |
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言語 |
en |
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権利情報 |
Creative commons Attribution 4.0 |
| 権利情報 |
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言語 |
en |
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権利情報Resource |
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
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権利情報 |
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
InSb thin film was deposited on glass by r.f. sputtering using the InSb (atomic ratio of 1:1) target. The film was capped by SiO_2 film to prevent the effusion of Sb of low melting point. After that, blue laser beam at 445 nm of controlled power density was irradiated using CW scanning mode. The film was crystalized successfully with keeping the ratio of In and Sb as (1:1). High electron Hall mobility of 1,050 cm^2 /(Vs) was obtained without degrading under glass. New device applications such as magnetic or infrared sensor system with poly Si TFTs are expected not only on glass but also on flexible panel such as on plastic sheet. |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
論文 |
| 出版者 |
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出版者 |
American Institute of Physics |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 識別子 |
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識別子 |
http://hdl.handle.net/20.500.12000/47346 |
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識別子タイプ |
HDL |
| 関連情報 |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.1063/1.5087235 |
| 関連情報 |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.1063/1.5087235 |
| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
2158-3226 |
| 収録物名 |
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収録物名 |
AIP Advances |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
巻 9,
号 4,
p. 045009-1-045009-5,
発行日 2019-04-10
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1.5087235.pdf
