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レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETs に関する研究
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Item type | デフォルトアイテムタイプ(フル)(1) | |||||||||
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公開日 | 2017-03-21 | |||||||||
タイトル | ||||||||||
タイトル | レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETs に関する研究 | |||||||||
言語 | ja | |||||||||
タイトル | ||||||||||
タイトル | Research on Junction Formation Using Laser Annealing For High Performance Si Power MOS FETs | |||||||||
言語 | en | |||||||||
作成者 |
陳, 訳
× 陳, 訳
× Chen, Yi
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アクセス権 | ||||||||||
アクセス権 | open access | |||||||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
内容記述 | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | 学位論文 | |||||||||
出版者 | ||||||||||
言語 | ja | |||||||||
出版者 | 琉球大学 | |||||||||
出版者 | ||||||||||
言語 | en | |||||||||
出版者 | University of the Ryukyus | |||||||||
言語 | ||||||||||
言語 | jpn | |||||||||
資源タイプ | ||||||||||
資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||
出版タイプ | ||||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
識別子 | ||||||||||
識別子 | http://hdl.handle.net/20.500.12000/35665 | |||||||||
識別子タイプ | HDL | |||||||||
書誌情報 |
p. none, 発行日 2016-09 |
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学位授与番号 | ||||||||||
学位授与番号 | 甲第321号 | |||||||||
学位名 | ||||||||||
学位名 | 博士(工学) | |||||||||
言語 | ja | |||||||||
学位授与年月日 | ||||||||||
学位授与年月日 | 2016-09-14 | |||||||||
学位授与機関 | ||||||||||
学位授与機関識別子 | 18001 | |||||||||
学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||
学位授与機関名 | 琉球大学 | |||||||||
言語 | ja |