WEKO3
アイテム
Ultra-high carrier mobility InSb film by rapid thermal annealing on glass substrate
http://hdl.handle.net/20.500.12000/47345
http://hdl.handle.net/20.500.12000/47345dfd3bf0a-371b-4f58-8e66-7f21daea6839
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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1.4967287.pdf
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Item type | デフォルトアイテムタイプ(フル)(1) | |||||||||||||||
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公開日 | 2020-11-27 | |||||||||||||||
タイトル | ||||||||||||||||
タイトル | Ultra-high carrier mobility InSb film by rapid thermal annealing on glass substrate | |||||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||||
作成者 |
Koswaththage, Charith Jayanada
× Koswaththage, Charith Jayanada
× Okada, Tatsuya
× Noguchi, Takashi
× Taniguchi, Shinichi
× Yoshitome, Shokichi
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アクセス権 | ||||||||||||||||
アクセス権 | open access | |||||||||||||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||||||
権利情報 | ||||||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||||
権利情報 | Creative Commons Attribution 4.0 | |||||||||||||||
権利情報 | ||||||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||||
権利情報Resource | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |||||||||||||||
権利情報 | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |||||||||||||||
内容記述 | ||||||||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||
内容記述 | InSb films were deposited on both mica and glass substrates using thermal evaporation and subjected to FA or RTA. Crystallinity, composition and electrical properties were investigated. High Hall electron mobility as high as 25,000 cm^2/(Vs) was obtained with the capped InSb film by keeping the In:Sb ratio after RTA at 520°C for 30 sec or more without adopting epitaxial growth on glass. | |||||||||||||||
内容記述 | ||||||||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||
内容記述 | 論文 | |||||||||||||||
出版者 | ||||||||||||||||
出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||||
言語 | ||||||||||||||||
言語 | eng | |||||||||||||||
資源タイプ | ||||||||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||
資源タイプ | journal article | |||||||||||||||
出版タイプ | ||||||||||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||
識別子 | ||||||||||||||||
識別子 | http://hdl.handle.net/20.500.12000/47345 | |||||||||||||||
識別子タイプ | HDL | |||||||||||||||
関連情報 | ||||||||||||||||
識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.4967287 | |||||||||||||||
関連情報 | ||||||||||||||||
識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.4967287 | |||||||||||||||
収録物識別子 | ||||||||||||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||
収録物識別子 | 2158-3226 | |||||||||||||||
収録物名 | ||||||||||||||||
収録物名 | AIP Advances | |||||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||||
書誌情報 |
巻 6, 号 11, 発行日 2016-12-01 |